Флэш-память как таковая – разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти. В настоящее время выпускается два основных типа флэш-памяти: NOR (логика ячеек NOT OR) и NAND (логика ячеек NOT AND). Специфических разновидностей со звучными торговыми названиями, безусловно, больше, но все они в итоге сводятся к этим двум типам. В качестве элементарных ячеек хранения информации используются полевые двух затворные транзисторы с плавающим затвором.
Не углубляясь в историю развития технологий твердотельной памяти, рассмотрим основные типы флэш-памяти. В отличие от других типов твердотельных накопителей в модулях флэш-памяти для хранения данных используется один или два транзистора (в других типах это обычно конструкция из нескольких транзисторов и конденсатора). Идея хранения данных основана на том, что такой транзистор способен сохранять заряд, соответственно позволяя определить его наличие. При записи заряд помещается на плавающий затвор (или посредством переноса электронов или с использованием квантово-механических эффектов туннелирования – это зависит от типа памяти).